为了推进 AI 等立异使用落地，英特异途使其惠及更广阔的尔展用户 ，需求指数级添加的现封效散算力。为此 ，装立半导体职业正在不断拓宽芯片制作的径进鸿沟 ，探究进步功用、步良下降功耗的率安立异途径 。

在这样的稳供布景下，传统上仅用于散热和维护设备的电高封装技能正在从暗地走向台前，成为职业抢手趋势 。英特异途与传统的尔展封装技能不同 ，先进封装技能能够在单个设备内集成不同厂商 、现封效散不同制程、装立不同巨细、径进不同功用的步良芯片 ，从而为打造功用更强壮、能效比更高的体系级芯片（SoC）
，带来了全新的可能性 。

英特尔一向致力于将处理器、加速器和存储器等各式各样的芯片堆叠起来，组合到更大规划的封装中
，协助客户让产品功用“更上一层楼”
。在 2025 IEEE 电子器材技能大会（ECTC）上，英特尔共享了其封装技能的最新进展，这一大会由 IEEE（电气电子工程师学会）电子封装协会主办，聚集于封装 、器材和微电子体系的科研 、技能与教育 ，是封装范畴的世界顶会。

详细而言，英特尔在封装范畴的三大关键技能途径包括：进步封装的良率 ，保证供电安稳牢靠 ，以及经过有用的热办理技能完成散热 。

EMIB-T：安稳供电。

英特尔的 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技能现已投入生产，突破了光罩尺度的约束 ，完成了多芯片之间的高速互联
。此外
，经过硅通孔（TSV）技能
，EMIB-T 优化了供电功率，并为集成高速 HBM4，以及根据 UCIe 规范的芯粒供给了简洁的解决方案。

热压键合：进步良率 。

跟着封装尺度越来越大 ，集成多芯片的杂乱程度也在同步进步。英特尔方案经过探究高精度、大光罩热压键合（TCB）的先进工艺来进步良率和牢靠性。

分化式散热器：高效散热。

跟着封装变得越来越杂乱，尺度也越来愈大 ，热规划功耗（TDP）也在不断添加 。为应对散热层面的应战 ，英特尔正在研制全新的分化式散热器技能，以及新一代热界面资料。这些立异能够更有用地将热量从热源传递到散热器的各个部分，从而进步全体的散热功率
。

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